Instalacja systemu FE-LEEM PEEM/P90 Series
W Laboratorium Materiałowych Badań Mikro- i Nanostrukturalnych uruchomiono mikroskop niskoenergetycznych elektronów (Low-Energy Electron Microscope, LEEM). Mikroskop LEEM pozwala badać, w czasie rzeczywistym, procesy dynamiczne zachodzące na powierzchniach półprzewodnikowych oraz metalicznych w skali nanometrowej. Użycie niskoenergetycznych elektronów pozwala na prowadzenie pomiarów morfologii, krystalografii i właściwości elektronowych powierzchni ciał stałych, w warunkach próżni i w szerokim zakresie temperatur, od temperatury ciekłego azotu (LN2) do ponad 1000°C. Mikroskop jest wyposażony w źródło promieniowania UV umożliwiające pracę w trybie fotoemisyjnej mikroskopii/spektroskopii elektronowej (PEEM). LEEM połączony jest z układem komory preparacyjnej UHV oraz z mikroskopem UHV STM/AFM, pozwalającym na prowadzenie komplementarnych pomiarów dla badanych próbek na poziomie atomowej zdolności rozdzielczej.
Pierwszy obraz z mikroskopu LEEM
Topografia LEEM propagujących się tarasów atomowych na wygrzewanej powierzchni (100) Si o rekonstrukcji (2x1) (obraz Dark field, Field of View – FV = 7 μm).
Struktura powierzchni Si(100) składa się z rzędów dimerów, które biegną równolegle do kierunku powierzchni (100) lub (010) i jest nazywana odpowiednio (1x2) lub (2x1). Kierunek rzędu dimerów obraca się o 90 stopni na sąsiednich tarasach, co prowadzi do widocznej topograficznej struktury domenowej.
